超高真空多腔體電子束鍍膜機是制備高純度、高致密薄膜的核心設備,廣泛應用于半導體、光學器件、航空航天及前沿科研領域。其通過在超高真空環(huán)境中,利用聚焦電子束轟擊靶材產生蒸氣,實現(xiàn)精準沉積。多腔體設計支持連續(xù)、無污染工藝流程。因系統(tǒng)復雜、真空要求嚴苛,操作不當易導致鍍膜失敗、靶材噴濺甚至設備損傷。掌握
超高真空多腔體電子束鍍膜機科學、規(guī)范的使用方法,是實現(xiàn)真空穩(wěn)、蒸發(fā)準、膜層優(yōu)的關鍵。

一、使用前準備
查腔體狀態(tài):確認各腔門密封良好,無工具或樣品遺留;
查靶材與基片:靶材無氧化、裂紋,安裝牢固;基片清潔干燥,夾具匹配;
烘烤除氣:對主腔及傳輸通道執(zhí)行高溫烘烤(通常150–250℃,持續(xù)12–48小時),加速材料放氣,確保極限真空達標。
二、抽真空與檢漏
啟動分子泵組前,先用機械泵預抽至≤10Pa;
分子泵啟動后,逐步關閉旁通閥,監(jiān)控真空曲線;
達到本底真空(如≤5×10Pa)后,進行氦質譜檢漏,確保無微小泄漏。
三、基片預處理
在預處理腔中進行離子濺射清洗或高溫退火,去除表面吸附物;
傳輸機械臂需在真空下運行,避免大氣暴露;
基片溫度、轉速、擋板位置按工藝設定精確調控。
四、電子束蒸發(fā)操作
預熔靶材:低功率掃描靶面,去除揮發(fā)性雜質,防止正式鍍膜時噴濺;
聚焦與偏轉校準:調整電磁線圈,使電子束精準轟擊靶心;
速率控制:通過石英晶體振蕩器(QCM)實時監(jiān)測沉積速率(如0.1–5/s),閉環(huán)調節(jié)束流;
擋板同步:僅在穩(wěn)定蒸發(fā)時開啟擋板,避免初始不穩(wěn)定蒸氣污染基片。
五、鍍后處理與破空
鍍膜完成后,關閉電子槍,繼續(xù)抽氣冷卻至室溫;
若需退火,轉入專用腔體控溫處理;
破空操作前確認腔體溫度<50℃,緩慢充入高純氮氣或干燥空氣,防止熱沖擊或氧化。